10.3321/j.issn:0454-5648.2004.08.008
化学气相沉积法生长透明硒化锌多晶
采用化学气相沉积(CVD)法,在Zn-Se-H2-Ar体系中生长了用于红外光学窗口的ZnSe透明多晶体.测定了ZnSe样品的XRD谱和红外透过光谱,用光学显微镜观察了样品的显微形貌;讨论了CVD工艺中生长参数对ZnSe晶体质量的影响.研究结果表明:通过优化的生长工艺,生长温度在500~750 ℃,压力在100~1 500 Pa的范围内,可以制备出高质量ZnSe多晶体;在8~12μm波段范围内,其红外透过率达70%以上.
硒化锌、化学气相沉积法、红外晶体
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O785(晶体生长)
国家科技攻关项目
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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