10.3321/j.issn:0454-5648.2004.08.006
铁基触媒合成金刚石形成的金属包膜成分的研究
利用电子探针(EPMA)和X射线光电子能谱(XPS)研究了包围金刚石单晶的铁基金属包膜和触媒的成分分布.结果表明,在金刚石生长过程中,接近金刚石单晶的包膜内层中的碳含量是变化的,但均高于接近金刚石的触媒层.然而,与包围金刚石单晶的触媒表面相比,包膜表面碳含量低、铁含量高.分析认为,高温高压下,金刚石生长的碳源主要来自于包膜,但碳并非均匀地在包膜熔体内层向金刚石扩散.结合前期研究发现的"包膜内层无石墨和无定形碳结构"的事实分析,金刚石生长所需的碳极有可能来源于包膜内层铁碳化物的瞬间分解,结果导致包膜表面瞬间碳含量低、铁含量高.
人造金刚石单晶、高温高压合成、金属包膜、触媒
32
TQ164
国家自然科学基金50371048,50372035
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
936-941