射频磁控溅射的不同厚度MgF2薄膜的微结构和应力特性

摘要：

用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7～1 545.0 nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析.结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由420.0 nm增加到1 545.0 nm,膜的平均晶粒尺寸由3.2 nm逐渐增大到14.5 nm.应力研究表明:所制备的MgF2薄膜在φ=30 mm选区内全场平均应力均表现为张应力;随膜厚增加,MgF2薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小,当膜厚大于1 200 nmT时,其选区平均应力及应力差基本趋于稳定.

关键词：氟化镁薄膜、射频磁控溅射、微结构、应力特性

所属期刊栏目：32

分类号：TB303(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金59972001;安徽省自然科学基金01044901;安徽省教育厅科研项目99JL0024;安徽大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：700-703