SiO2掺杂稳定ZrO2界面Si-O-Zr键形成的量子化学研究

摘要：

依据SiO2掺杂稳定ZrO2溶液中可能存在的各种生长基元及界面反应产物的团簇模型,利用密度泛函理论计算获得了各团簇的结构参数、原子的Mulliken电荷分布、红外活性振动光谱和反应的Gibbs自由能.理论红外光谱分析证实了SiO2/ZrO2界面Si-O-Zr键的形成,同时发现460 cm-1左右的特征峰不应归为链状Si-O-Si键的振动,而应是环状Si-O-Si键的振动光谱.此外,Mulliken电荷分布和热力学研究表明:SiO2掺杂稳定的ZrO2四方到单斜相变温度和相变临界尺寸的增加是由于界面Si-O-Zr键的形成降低了与邻近锆配位羟基氧的电荷所致.

关键词：氧化硅、氧化锆、界面、红外光谱、密度泛函理论

所属期刊栏目：32

分类号：TQ134;O664

资助基金：国家自然科学基金50242008;山东省自然科学基金Z2002F02

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：666-670