In离子在掺杂LiNbO3晶体中的占位研究

摘要：

测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况.在In3+的掺入量低于阈值3%(摩尔分数)时,In离子占据NbLi4+位;在掺入量高于阈值3%时,In3+占据NbNb位和LiLi位.利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In3+掺入量高于阈值3%时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级.通过In3+的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理.

关键词：掺杂铌酸锂晶体、吸收光谱、红外透射光谱、光损伤

所属期刊栏目：32

分类号：O734(晶体物理)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划8632001AA31304;国家重点基础研究发展计划973计划G19990330

在线出版日期：2004-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：603-607