Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究

摘要：

通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3.为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1 300℃下,采用固相反应法合成了Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)多晶原料.用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd:GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061.54nm.对晶体表面的开裂现象进行了分析.

关键词：掺钕钆镓石榴石晶体、原料挥发、激光晶体、提拉法、晶体生长

所属期刊栏目：32

分类号：O782.6(晶体生长)

资助基金：长春理工大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：585-589