In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变性能的研究

摘要：

采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体.测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3 484 cm-1位移到3 507 cm-1.首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度.研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3＞1%In∶Fe∶LiNbO3＞2%In∶Fe∶LiNbO3＞3%In∶Fe∶LiNbO3.采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理.讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理.

关键词：双掺铟和铁铌酸锂、光折变、波导基片、引上法晶体生长

所属期刊栏目：32

分类号：O782.9(晶体生长)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G19990330;国家高技术研究发展计划863计划2001AA31304

在线出版日期：2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：476-480