10.3321/j.issn:0454-5648.2004.04.002
Cu包裹SiC复合粉体工艺的研究
选用工业生产的SiC粉,利用非均相沉淀法,将Cu均匀地包裹在SiC表面,得到了包裹均匀的Cu/SiC复合粉体.通过调节反应溶液的pH值控制SiC颗粒表面的zeta 电位,解决包覆过程中颗粒团聚的问题.X射线衍射分析表明:经过包覆反应能够得到大部分包裹着Cu相的SiC颗粒.SEM形貌观察分析表明:SiC颗粒的大小、形状均对包覆效果有影响,小的SiC颗粒比大的包覆效果好,球形颗粒比其他形貌的包覆效果好.
铜、碳化硅、包裹、非均相沉淀
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TB333(工程材料学)
2004-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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