6H-SiC单晶的生长与缺陷

摘要：

采用升华法,在一定的温度、气体压力和流量的条件下,生长了尺寸φ50.8 mm的6H-SiC单晶.利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征.采用透射模式对抛光晶片进行观察,发现了SiC晶体内的典型缺陷,如:负晶、微管、碳颗粒等,并对它们的形成机理进行了讨论.

关键词：6H-碳化硅、微管、负晶、缺陷

所属期刊栏目：32

分类号：O771;O782(晶体缺陷)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划;国家自然科学基金60025409

在线出版日期：2004-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：248-250,254