基质晶体的真空紫外光谱研究

摘要：

初步总结了基质晶体中吸收带位置的规律,即氧化物(CaO∶Eu,Y2O3∶Eu,≈200 nm) ＞多铝酸盐(BaMgAl10O17∶Eu,≈175 nm)≥硅酸盐(Ca2SiO4∶Tb,160～170 nm) ＞硼酸盐[(Y,Gd)BO3∶Eu,150～160 nm]≥钒酸盐(YVO4∶Eu,≈155 nm)≈正磷酸盐[(La,Gd)PO4∶Eu,≈155 nm]＞五磷酸盐(TbP5O14∶Eu,≈135 nm)＞二磷酸盐[Sr3(PO4)2∶Eu或K3Tb(PO4)2∶Eu,≈125 nm] ＞氟化物(LaF3∶Eu或LiYF4∶Eu,≈120 nm).基质吸收带的位置主要取决于基质的阴离子、阴离子基团,以及基质的组成、结构和键能,也受基质中阳离子的影响.这一初步规律将有助于人们寻找优质的新型紫外晶体和新型等离子体平板显示器件用的荧光粉.

关键词：基质晶体、真空紫外光谱、基质吸收带、激发光谱

所属期刊栏目：32

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金20071031

在线出版日期：2004-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：233-238