低温化学气相沉积SiC涂层显微结构及晶体结构研究

摘要：

在CH3SiCl3-H2体系中,采用化学气相沉积法(CVD)在1 000～1 300℃制备了SiC涂层.研究了SiC涂层的沉积速率和温度之间的关系,发现低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程,反应的表观活化能为85～156 kJ/mol.SiC涂层的外观颜色及涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:当沉积温度＜1 150℃时,SiC涂层的外观颜色为银白色,涂层表面致密、光滑;当温度≥1 150℃时,SiC涂层外观颜色逐渐变暗,涂层表面变得疏松、粗糙.利用XRD分析了不同沉积温度下SiC涂层的晶体结构,随着温度的升高,SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度≥1 150℃,SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC外还出现了少量α-SiC.

关键词：碳化硅涂层、沉积温度、化学气相沉积、显微结构、晶体结构

所属期刊栏目：31

分类号：TB323(工程材料学)

资助基金：国防预研基金41312011002

在线出版日期：2003-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1107-1111