常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究

摘要：

采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素.在ψ(NH3):ψ(SiH4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720 ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1 640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol.通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜.

关键词：化学气相沉积、氮氧化硅、薄膜、三维成核

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：浙江省科技计划0221101562

在线出版日期：2003-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1086-1090