工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响

摘要：

以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源, 以高纯氮气为载气, 采用热壁式管式反应炉, 通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiNx).借助椭圆偏振仪研究了SiNx薄膜的生长动力学, 通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiNx薄膜的性质, 并利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌.在其它工艺条件相同的情况下, SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加, 原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响.随着反应温度的升高, 沉积速率逐渐增加, 在840 ℃附近达到最大, 随后迅速降低.当R<2时获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33); 当R>4时获得近化学计量(x≈1.33)的SiNx薄膜.

关键词：氮化硅薄膜、生长动力学、性质、工艺

所属期刊栏目：31

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：上海市科技发展基金00JC14015

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：986-990