超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜制备技术进展

摘要：

纳米多孔SiO2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力.文中概述了纳米多孔SiO2薄膜的孔隙度与介电常数的关系,指出所有模型均位于串联和并联模型之间,介电常数均随孔隙度的增加而下降.说明了多孔SiO2薄膜按孔隙度不同主要分气凝胶和干凝胶两类.介绍了从溶液前驱物中合成的原理,给出了制备纳米多孔SiO2薄膜的一般流程.详细总结了用气凝胶/干凝胶法和模板法制备纳米多孔SiO2薄膜的技术进展.探讨了旋转涂覆制备多孔SiO2薄膜的弱点及改进办法,指明了超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜制备技术的发展方向.

关键词：超低介电常数、纳米多孔SiO2薄膜、旋转涂覆、综述

所属期刊栏目：31

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50272027

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：878-882