SiC/55MoSi2材料的微观结构和电热性能

摘要：

研究了孔隙率为9.4%的SiC/55MoSi2(其中SiC体积分数为45%,MoSi2体积分数为55%)电热材料的微观结构和电热性能.材料中的SiC被MoSi2包围,两种组分的连接处虽然边界清晰,但并不存在成分的突变,有一宽度小于4 μm的成分过渡区.过渡区内Fe,W杂质元素富集于靠近MoSi2的一侧.氧元素的最高含量没有处于过渡区的中间部位,而是富集于靠近MoSi2的一侧.温度与氧化质量增量关系表明,1 560℃以下材料的氧化质量增量变化很小,接近单-的MoSi2材料.材料中SiC组分氧化所产生的CO或CO2气体,形成细小而分散的气泡,并停留在表面氧化层中.

关键词：电热材料、氧化、二硅化钼、碳化硅、过渡区

所属期刊栏目：31

分类号：TB333;TH145.1(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50171037

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：862-866