掺杂Mg2+对钛酸锶薄膜氧敏性能及电阻温度系数的影响

摘要：

利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜,该薄膜是制造电阻型氧敏传感器的一种潜在材料.在钛酸锶中掺杂不同含量的镁离子,形成SrTi1-xMg O3薄膜,其中Mg的含量,即x值分别为0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.30.镁在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂.测试不同氧分压(0～105Pa)、温度(600～800℃)下薄膜的电阻.发现掺镁的钛酸锶在氧化气氛下是p型半导体.并且当x值(镁的含量)在0.10～0.15之间、较低氧分压下,薄膜的电阻温度系数接近零.此外,还从缺陷化学反应角度讨论了此现象出现的原因.

关键词：钛酸锶薄膜、镁掺杂、氧敏材料、电导

所属期刊栏目：31

分类号：TN212(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：832-835