AlN-SiC复相材料的制备及其微波衰减性能

摘要：

以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1 900～2000℃、氮气氛下,制备了AlN-SiC复相材料.运用XRD、高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅含量及AlN-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响,结果表明:AlN-SiC复相材料的频谱特性随衰减剂碳化硅含量的变化而呈现出选频衰减、宽频衰减等特性.当衰减剂SiC质量分数少于40%时,AlN-SiC复合材料具有选频衰减特性,SiC含量为40%～60%时,复合材料具有宽频衰减特性.AlN-SiC部分固溶体的形成有助于改善材料的宽频衰速特性.

关键词：氮化铝、碳化硅、固溶体、微波衰减

所属期刊栏目：31

分类号：TM25(电工材料)

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：828-831