纳米氮化硅制备天线罩材料介电性能的研究

摘要：

以国产纳米氮化硅粉为原料, 经凝胶注模成型后在流动的高纯N2作为控制气氛的条件下, 于1 510 ℃常压烧结出相对密度为0.72, 结构均一, 抗弯强度达89 MPa且具有良好介电性能的Si3N4天线罩材料.研究了原料的纯度、烧结温度、埋烧气氛对瓷体介电性能的影响.结果表明: 纳米粉原料中含有大量的SiO2, 可以促进坯体的烧结, 同时对瓷体的介电性能有较大的影响.因坯体收缩, 在致密化以前, 其介电常数随烧结温度的升高而增大. 当温度高于1 510 ℃时, 随着烧结温度的升高, 原料中氮化的Si-O数增加, 瓷体的宏观缺陷增加, 相对密度降低, 因此瓷体的介电常数趋于减小.在1 510 ℃烧结温度下, 若不加埋料时, 坯体中有的Si-O不能被氮化; 用石墨粉作埋料, 则发生渗碳现象, 降低了Si3N4天线罩材料的介电性能.

关键词：氮化硅、天线罩材料、烧结温度、气氛、介电性能

所属期刊栏目：31

分类号：TQ174.758

在线出版日期：2003-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：698-701