基片温度对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO2薄膜结构与亲水性的影响

摘要：

在工作气压为2.0 Pa的氧气氛下, 通过改变基片温度(室温, 280 ℃, 420 ℃), 在预先镀10 nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了300 nm左右的TiO2薄膜试样.用X射线光电子能谱和X射线衍射仪分别研究了试样的表面元素组成、离子状态和物相组成, 用接触角分析仪测试了试样在紫外光照射后的水润湿角.结果表明: 试样表面的钛离子都以+4价的形式存在, 氧化钛表面易吸附OH-和CO32-, 氧化钛中n (O)∶n (Ti) =1.90～1.97; 基片不加热时, 试样是非晶态, 升高基片温度, 薄膜结晶逐渐完善, 并以锐钛矿形式存在. 在相同时间的紫外线照射下, 非晶TiO2膜的润湿角从34 °降低到22 °,而结晶完好的试样的润湿角从18 °～24 °降低到5 °.

关键词：二氧化钛薄膜、亲水性、直流磁控溅射、基片温度

所属期刊栏目：31

分类号：O647(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：湖北省自然科学基金2001abb077;教育部科学技术基金99087

在线出版日期：2003-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：678-681