α-SiC∶H薄膜的热行为研究

摘要：

采用射频反应溅射工艺沉积了α-SiC∶H薄膜.利用微分扫描量热器(DSC)和差热分析仪(DTA)两种热分析方法确定了α-SiC∶H薄膜的脱H过程和相转变温度, 353.2 ℃脱Si-H和602.6 ℃脱C-H, 并在1 080 ℃相变结晶.在氮气流保护下的光热炉内进行热处理, Fourier红外光谱(FTIR)和反射谱的研究表明: 400 ℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降. 高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si-C键, 促进薄膜致密, 并能提高其在紫外部分的反射率, 降低红外区域的反射率.热处理温度超过500 ℃, 容易导致薄膜脱落.适当的退火工艺有利于拓展碳化硅薄膜在空间材料上的应用.

关键词：碳化硅、氢、热处理、热分析、光学性能

所属期刊栏目：31

分类号：TQ174

在线出版日期：2003-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：654-658