10.3321/j.issn:0454-5648.2003.07.004
熔体浸渍技术制备SiCp/AlN复合材料
采用熔体浸渍技术, 研究了在高纯氮气氛下Al-Mg-Si合金反应浸渍碳化硅预形体制备SiCp/AlN复合材料.借助XRD, SEM/EDS, EMPA等测试手段检测了产物的物相组成, 观察了材料的微观形貌, 并对复合材料微区成分进行了分析.结果表明:1 200 ℃下, 在氮气气氛中用Al-Mg-Si合金反应浸渍碳化硅形成了SiCp/AlN复合材料.在氮化温度下, Al-Mg-Si合金中的Mg元素极易蒸发, 与气氛中的微量氧发生反应, 起到深脱氧作用, 而Si元素的存在使Al-Si熔体容易浸渍渗透进入SiC预形体中, 同时氮化反应生成AlN, 形成了以AlN/Si为三维骨架, SiC呈孤岛状结构的SiCp/AlN复合材料.生长前沿氮化铝以胞状方式生长, 胞内由呈放射状生长排列的柱状晶氮化铝构成, 柱晶之间有大量的通道间隙, Si元素在胞内呈不均匀分布, 胞边缘部分的硅含量明显高于胞中心部分, 这与柱状氮化铝的生长机理有关.
铝镁硅、合金、碳化硅/氮化铝复合材料、熔体浸渍技术
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TQ174.1
湖北省武汉市青年科技晨光计划985003065;湖北省自然科学基金
2003-09-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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