10.3321/j.issn:0454-5648.2003.06.002
TiB2陶瓷的放电等离子烧结
利用放电等离子烧结技术制备TiB2陶瓷.分析了烧结温度、保温时间和升温速率对烧结体致密度及显微结构的影响.实验结果表明: 随着烧结温度的提高, 烧结体的致密度及晶粒大小均增加. 延长保温时间, 样品的晶粒有明显长大. 提高升温速率, 有利于抑制晶粒生长, 但样品的致密度降低.在TiB2的烧结过程中, 存在颗粒间的放电.在烧结温度为1 500 ℃, 压力为30 MPa, 升温速率为100 ℃/min, 真空中由SPS烧结制备的TiB2陶瓷相对密度可达98%.
放电等离子烧结、硼化钛陶瓷、显微结构、放电
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TQ174
国家自然科学基金59925207;国家高技术研究发展计划863计划2001AA333020
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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