硅酸镓镧结构的新型压电晶体的研究进展

摘要：

新型压电晶体La3Ga5SiO14因其低声速、零温度切向和良好的高温稳定性受到关注, 但是昂贵的Ga2O3原料阻碍了它的工业应用.通过离子置换可获得具有langasite结构的多种新型压电晶体.综述介绍了置换La, Ga, Si形成的新型压电晶体的最新研究进展, 比较分析了不同晶体的优势及其存在的问题.在这些新晶体中, 由于Sr3Ga2Ge4O14(SGG)具有熔点较低、性能较高的综合优势, 它有可能成为新一代表面波器件的重要侯选材料.与提拉法相比, 采用坩埚密封的下降法生长SGG单晶, 可以显著提高晶体产率, 降低成本.

关键词：硅酸镓镧、langasite结构、晶体生长、压电晶体

所属期刊栏目：31

分类号：O781(晶体生长)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：480-484