10.3321/j.issn:0454-5648.2003.04.014
放电等离子烧结AlN陶瓷
研究了放电等离子烧结氮化铝陶瓷的过程. 通过对比掺与不掺烧结助剂的氮化铝陶瓷的两种烧结过程, 指出了烧结助剂在放电等离子烧结氮化铝陶瓷过程中的作用.利用放电等离子烧结技术烧结氮化铝, 在加Y2O3-Li2O-CaF2作为烧结助剂, 1 700 ℃的烧结温度, 25 MPa的压力下, 仅保温5 min , 得到相对密度为97.3%的AlN 陶瓷.SEM表明试样内部晶粒细小, 结构均匀.实验表明: 放电等离子烧结技术可实现快速烧结.
放电等离子烧结、氮化铝、陶瓷、致密度
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TB32;TQ174(工程材料学)
北京市科技新星计划项目XD902K03
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
389-392