10.3321/j.issn:0454-5648.2003.03.017
添加Sb2O5,ZnO和玻璃对(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷高频介电性能的影响
用氧化物混合方法制备了主晶相为(Zr0.7Sn0.3)TiO4的高频陶瓷材料.添加Sb2O5,ZnO和玻璃有效降低了陶瓷的烧成温度和介质损耗.添加0.5%Sb2O5(摩尔分数),1.5%ZnO(质量分数)和3.0%玻璃(质量分数)的陶瓷组成在1 150℃烧结,在测试频率l MHz下的介电性能为:介电常数ε≈38,损耗角正切tanδ=0.6×10-4,介电常数温度系数αe=0±30×10-6/℃,体电阻率pv≥1013Ω.cm.用此种陶瓷材料可在中温烧结制成多层陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitor,MLCC).
钛酸锆锡、添加剂、玻璃、介电性能
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TQL74
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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