SiO2-C-N2-O2系统合成SiC反应机理的研究

摘要：

在实验室使用工业原料石英砂和无烟煤,于1 350,1 450,1 550℃合成了β-SiC.通过X射线衍射法并结合热力学理论计算,研究温度在1 600℃以下SiO2-C-N2-O2系统的主要化学反应过程.认为该系统合成SiC的反应机理是:反应过程主要分3个阶段,反应初期以气相反应为主,主要反应式为SiO+2C=SiC+CO;反应中、后期以固相反应为主,主要反应式为SiO2+3C=SiC+2CO,其反应中间过程为:Si2N2O+O2=SiO2+SiO+N2和3SiO+3C+2N2=Si3N4+3CO.

关键词：碳化硅、反应机理、中间过程

所属期刊栏目：31

分类号：TQ163.4

资助基金：国家自然科学基金50174046

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：91-94