Mg:In:LiNbO3晶体波导基片光损伤性能研究

摘要：

在LiNbO3中掺入3%MgO和1%In2O3(摩尔分数,下同),采用Czochralski法生长了3%Mg:2%In:LiNbO3晶体.极化后,对晶体进行氧化和还原处理.利用光斑畸变法,测试了晶体在488.0 nm波长下的抗光损伤能力,结果表明:Mg:In:LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高2个数量级以上.通过Li空位模型,研究了Mg:In:LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理.利用苯甲酸质子交换法制备了儿种晶体的光波导基片,并采用m-线法测试了y切型波导基片在632.8 nm波长下的光损伤阈值,Mg:In:LiNbO3光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了2个数量级.

关键词：掺杂铌酸锂晶体、波导基片、光损伤、引上法晶体生长

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分类号：O734(晶体物理)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G19990330;国家高技术研究发展计划863计划2001AA313040;黑龙江省自然科学基金A01-03

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8