多热源工业合成SiC技术

摘要：

介绍了自行发明的多热源炉合成SiC技术的基本原理.研究了炉内温度场的叠加特点和温度梯度的变化规律.对比了单热源炉、二热源炉和三热源炉的实验室合成效果.工业应用表明:三热源炉比传统单热源炉可节能10%～15%;一级品率提高30%;单炉产量可提高约50%,特级品SiC含量由传统技术的98%提高到99.5%以上.多热源工业合成SiC新技术具有节能、高质、高产和生产安全等特点, 而且极便于炉体的大型化.

关键词：多热源、工业合成、碳化硅

所属期刊栏目：30

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金50174046

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：101-104