掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响

摘要：

采用水热法制备锡锑氧化物(ATO)纳米粉,利用XRD方法研究不同Sb-Sn掺杂比及热处理温度对ATO结构和电性能的影响.实验结果显示:掺杂摩尔分数n(Sb)∶n(Sn)=4%～8%时达到最佳导电性能, 随温度升高, 电阻率降低.

关键词：锡锑氧化物纳米粉、水热合成、掺杂比、热处理温度

所属期刊栏目：30

分类号：TQ174.758

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1-3