期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2002.05.022

掺杂VO2相变薄膜的电阻突变特性研究

引用
以V2O5和MoO3粉为原料, 采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Mo6+的VO2相变薄膜.对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试, 结果发现:所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2, 所掺入的MoO3与VO2完全互溶, 但其中MoO3的价态未发生改变.掺杂薄膜随MoO3含量的增加其电阻突变温度明显下降, 然而电阻突变量级也随之降低, 当MoO3的质量分数为5%时, 薄膜电阻突变温度降至30 ℃左右, 电阻突变量级仍可保持2个数量级左右, 尚能满足应用的要求.

氧化钒、相变薄膜、无机溶胶-凝胶法、掺杂

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TQ174

陕西省自然科学基金2000C32

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

637-640

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

30

2002,30(5)

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