Te对Mg2Si基化合物结构和热电传输性能的影响

摘要：

采用固相反应法在823 K温度下分别制备出了掺入0.1 %和0.4 % Te(摩尔分数,下同)的Mg2Si化合物, 并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究.结果表明:通过对Mg2Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2Si基热电材料的整体热电性能.掺入0.4%Te试样的优值系数在500 K时达到2.4×10-3W/(m *K2), 比未掺杂的Mg2Si试样提高了1.4倍以上.

关键词：固相反应、碲掺杂、热电特性

所属期刊栏目：30

分类号：TM201.4(电工材料)

资助基金：湖北省武汉市国际合作项目20007010108

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：550-553,558