CVI法快速制备C/SiC复合材料

摘要：

为缩短CVI法制备C/SiC复合材料的工艺周期并降低成本, 研究了CVI工艺过程中沉积温度、MTS(CH3SiCl3)摩尔分数和气体流量对SiC沉积速率和MTS有效利用率的影响. 实验结果表明:提高沉积温度, 常压下1 100 ℃时增大MTS摩尔分数 (11%→19%), 都有利于提高SiC沉积速率;提高沉积温度和降低反应物气体流量, 能提高MTS有效利用率. 在优化的工艺条件下, 预制体的微观孔隙内沉积了致密的SiC基体, 沉积速率达到142 μm/h左右, 并有效消除了基体中裂纹的形成. MTS的有效利用率为11%～27%.

关键词：碳/碳化硅、化学气相浸渗、沉积速率、有效利用率、复合材料

所属期刊栏目：30

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金59772031

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：240-243