热处理温度及掺杂对氧化镍电极赝电容器特性的影响

摘要：

应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH)2膜, 经热处理得到NiO膜. 研究了热处理温度、钴掺杂对NiO膜电极赝电容性能的影响. 结果发现:在250～500 ℃, 随着热处理温度的升高, NiO膜电极比电容量逐渐减小;钴掺杂使比电容量显著增大. 以掺钴的NiO膜为电极, 以1 mol/L 的KOH水溶液为电解质溶液, 所得电容器的比电容量可达75 F/g.

关键词：超大容量离子电容器、赝电容器、氧化镍、钴掺杂

所属期刊栏目：30

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金50082001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

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