YBa2Cu3O7-x薄膜的制备与半导体性能的研究

摘要：

采用高温固相反应法制备φ60 mm YBa2Cu3O7-x(YBCO)靶材;通过直流磁控溅射后退火法制备具有不同过渡层(SiO2/Si, ZrO2/SiO2/Si)的薄膜.对于 Si为衬底的YBa2Cu3O7-x薄膜, 当x＞0.5时, 薄膜的导电性由超导态转向半导体态.进行了X射线衍射(XRD)分析, 电阻温度系数(RTC)和Hall系数测试 , 并进行Raman散射的微观分析实验, 认为该半导体薄膜可用作室温工作的红外测辐射热计(B olometer)灵敏元.

关键词：半导体薄膜、过渡层、电阻温度系数

所属期刊栏目：28

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国防科工委跨行业基金CL96-1

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：589-591