期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2000.04.020

LBO晶体的生长缺陷研究

引用
采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂(LBO)晶体的生长缺陷,实验结果表明,LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界. 讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施.

三硼酸锂晶体、同步辐射截面形貌术、位错、包裹物

28

O77(晶体缺陷)

教育部科学技术研究项目Y98A15018;国家重点实验室基金

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

388-391

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

28

2000,28(4)

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