基材温度对铟锡氧化物膜结构与电性能的影响

摘要：

采用阴极磁控溅射法,在不同基片温度(180～300 ℃)条件下镀覆铟锡氧化物(ITO)透明导电膜.由X射线衍射分析试样结构随温度的变化,并测试了样品的方块电阻、电阻率、Hall迁移率、载流子浓度等电性能和膜层的可见光透过率.基片温度为180 ℃时,ITO膜(222)衍射峰很强,具有[111]方向择优取向;随温度的升高,(400)、(440)衍射峰增强,晶面随机取向增加,同时晶粒变大,电阻率降低.300 ℃时晶粒尺寸为43.5 nm,电阻率为6.8×10-5Ω·cm.

关键词：铟锡氧化物膜、磁控溅射、基片温度

所属期刊栏目：28

分类号：TQ174.758

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：251-254