氮气压对自蔓延高温合成Si3N4的影响

摘要：

主要研究了氮气压力对自蔓延高温合成Si3N4的影响,并通过放气法详细地研究了β-Si3N4的生长机理.结果表明:随着氮气压的增加和燃烧温度的提高,促进了Si的蒸发,从而致使产物中Si3N4的α/β相的比例增加.通过放气法实验,观察到了棒状Si3N4(β相)以气-液-固(VLS)机制生长的中间形态.X射线能谱分析表明β-Si3N4以气-液-固(VLS)机制生长所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质,而不是金属杂质.由于在生长过程中,β-Si3N4顶端的液相中的氧得不到补偿,致使Si3N4长成短棒状.溶解-析出机制是燃烧合成Si3N4过程中α相转变为β相的主要机制.

关键词：自蔓延燃烧合成、氮化硅、生长机理

所属期刊栏目：28

分类号：TB32;TQ174(工程材料学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：190-193