氮化硅针状晶体的制备

摘要：

采用Si粉直接氮化的方法制备氮化硅针状晶体.通过热力学计算,选择了晶体生长的温度和压力范围.探讨了温度、压力、添加剂等对针状晶体晶相、形貌、产率的影响,并在1850 ℃,CaO质量分数为10%条件下,制备了长径比为4～10的β-Si3N4针状晶体,产率为68%.采用XRD,TEM,SEM对得到的氮化产物及针状晶体进行了表征.

关键词：针状晶体、氮化硅、长径比

所属期刊栏目：28

分类号：TQ038;TQ174.758(一般性问题)

资助基金：中国科学院基础研究项目KJ951-A1-511

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：142-146