10.3321/j.issn:0454-5648.1999.05.014
WO3基H2S气敏材料的研究
采用正交试验法和单水平试验法研究了热处理温度及掺杂元素对WO3基H2S气敏元件灵敏度、选择性、稳定性、响应恢复特性及元件阻值的影响,得到了较为理想的H2S气敏元件.根据提出的气敏机理模型较好地解释了热处理温度、掺杂氧化物酸碱性及催化活性等对H2S气体灵敏度的影响.
硫化氢检测、气体传感器、氧化钨、正交试验、气敏机理
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TP212.2;TQ174.758(自动化技术及设备)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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