偏压下弛豫型铁电陶瓷有效介电系数稳定方法的研究

摘要：

本研究利用调整有效介电常数的互补公式[1]及B位离子振动模型的位移公式[2],导出了用于PMN/PZN/PT,PMN/PZN系铁电陶瓷稳定有效介电常数的经验公式:=T-T02/T-T01 A2=d1/d2 A1.用此式对PZN,PMN基铁电陶瓷偏压特性的研究,发现铁电陶瓷偏压下有效介电常数主要受其构型、A及B位离子的电负性差、添加剂的加权电负性差、宽容因子及其添加量的影响.研究表明用此式对调整弛豫型铁电陶瓷的有效介电系数更加直观.

关键词：独石电容、弛豫型铁电体、偏压特性、介电系数、稳定方法

所属期刊栏目：27

分类号：TN604(电子元件、组件)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：513-519