掺镱氟磷酸钙(Yb∶FAP)晶体的生长

摘要：

用高频感应提拉法生长了掺Yb3+氟磷酸钙(Yb∶FAP)晶体,获得了理想的生长工艺参数. 为消除晶体中通常存在的宏观缺陷,研究了晶体的退火条件. 生长的晶体毛坯尺寸为φ22 mm×45 mm. 对晶体进行了初步的位错观察,并估算了晶体的位错密度.

关键词：掺镱氟磷酸钙、晶体生长、退火、位错

所属期刊栏目：27

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家科技攻关项目;中国科学院资助项目69578026

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：219-223