SiC晶须及原位增强Si3N4基复合材料的断裂过程

摘要：

探讨了SiC晶须增强和β-sialon细长晶粒原位增强Si3N4基复合材料的断裂过程. 2种材料的试验结果都显示出明显的二级增韧行为:一级增韧过程,断裂阻抗KR随微小的裂纹扩展而急剧增大,在裂纹扩展到大约0.25 mm时达到饱和;二级增韧过程,KR缓慢增长,一直持续到裂纹扩展达到1 mm(原位增强)和1.8 mm(晶须增强). 观察和分析表明:二级增韧行为的发生,本质上起因于裂纹尖端后方桥接晶须和细长晶粒与基体之间界面的后续解离,这些增强相与裂纹面法线之间方位角的存在是诱发后续解离的支配性原因.

关键词：氮化硅复合材料、断裂抵抗、界面解离、晶须增强、原位增强

分类号：TQ174.758

资助基金：中国科学院资助项目59672029;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：571-577