AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨

摘要：

利用二次离子质谱(SIMS)并结合X射线衍射分析(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850-1 100 ℃空气中退火时的初始氧化行为. 结果表明,未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层. 在退火10 min的条件下,随着退火温度的增加,富氧层迅速增厚. 在1 100 ℃退火20 min的条件下,AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成. 最后,结合化学热力学,探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理.

关键词：氮化铝、陶瓷、热氧化、二次离子质谱

分类号：TQ17

资助基金：中国科学院资助项目69391203

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：565-570