10.3321/j.issn:0454-5648.1998.04.014
AlN陶瓷的介电性能
着重探讨了AlN陶瓷的极化机理,应用基本的电介质物理理论,结合AlN陶瓷的组成特点,研究了AlN陶瓷介电性能(介电常数、介电损耗角正切值)随测量温度、测量频率变化而变化的温度特性和频率特性. 结果表明:AlN陶瓷的主要极化机理为空间电荷极化;经典的极化理论适用于AlN陶瓷;AlN陶瓷因介电性能较好,导热率较高而有望成为比Al2O3陶瓷性能更加优良的基板材料.
氮化铝陶瓷、介电常数、介电损耗、添加剂、极化机理
TQ174.758.12
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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