N型硅外延片表面状态对肖特基接触的影响

摘要：

本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量.在此过程中,我们研究了自然氧化、H2O2水浴、紫外照射三种氧化方法,处理硅外延片表面,形成10~15A的氧化层,并对比分析了三种氧化方法所形成的硅外延片表面状态,以及对电阻率测试结果的影响.通过实验对比,H2O2水浴方法,获得的硅外延片表面最为稳定,重复测试标准差<±1%.

关键词：硅外延片、电阻率、电容-电压法、势垒电容

所属期刊栏目：33

分类号：TM53(电器)

在线出版日期：2017-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：32-33