GaN基量子阱蓝光LED的光学特性研究

摘要：

在5.6K和300K温度下,GaN基量子阱蓝光LED的光致发光谱表现出不同的发光特性.分析结果表明:5.6K温度下,量子限制斯塔克效应是GaN基量子阱蓝光LED的光致发光谱变化的主要原因;300K温度下,非辐射复合首先影响GaN基量子阱蓝光LED的光致发光谱,非辐射复合被屏蔽后,量子限制斯塔克效应成为GaN基量子阱蓝光LED的光致发光谱变化的主要原因.

关键词：GaN、LED、量子阱、光致发光谱、辐射复合

所属期刊栏目：31

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2015-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-39