激光诱导击穿光谱技术定量分析SF6中的痕量O

摘要：

六氟化硫(S F6)气体因其优良的绝缘和灭弧性能,被广泛应用于高压绝缘设备中.然而,当存在H2 O和O2等杂质时,SF6气体在局部放电等作用下分解成的低氟化物会进一步与杂质发生反应生成稳定的氟硫氧化物和氢化物,使得设备绝缘性能下降,危害电网安全,因此检测和分析S F6中微水、微氧及其分解产物具有重要意义.采用激光诱导击穿光谱技术测量了SF6中的痕量O含量.利用CaF2作为窗口材料,解决了窗口材料在不断腐蚀作用下引起的激发能量逐渐衰减以及窗口材料与S F6气体击穿产物反应引入的污染影响测量结果的问题,消除了由激发条件改变引起的等离子体状态的变化;通过测量不同O含量的S F6气体激光诱导击穿光谱,结合迭代小波分析对实测光谱进行基线校正和降噪处理,通过定标曲线获得了O元素检测限为38 ppm.利用偏最小二乘法建立了稳定的定量分析模型,改善了定量分析模型的稳定性和精度.

关键词：激光诱导击穿光谱、SF6氧含量、小波分析、偏最小二乘、定量分析

所属期刊栏目：37

分类号：O433.4(光学)

资助基金：国家重大专项2013ZX02202005

在线出版日期：2017-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3865-3870