定量单轴压力下单晶硅片原位拉曼谱峰测试

摘要：

测量获得了金刚石压腔系统中碳化钨基座单轴下的总压应力（F／N）‐应变（ε／μm／m）关系：F＝3.395ε＋12.212（R2＝0.9999），研制出可以在定量单轴压力下原位测试样品谱学特征的装置。利用该装置测试了单轴压力在2548.664MPa下单晶硅片的拉曼谱峰。测试结果表明，当压力垂直于单晶硅样品[100]结晶面时，样品的519.12cm－1谱峰随压力增大有规律的向高频方向偏移，谱峰频移量（Δω／cm－1）与压力（σ／MPa）的增加呈显著的线性关系，线性方程为σ＝365.80Δω＋10.19。式中的常数项在一定程度上反应了样品本身存在的残余应力；一次项系数与理论计算得到的结果存在一定差异，可能是由于本实验考虑了样品受力的定向性。Δω‐σ线性关系式中的常数项可能代表两层含义：一是实验过程中存在的误差；二是在一定程度上反应了硅片本身存在的内应力的大小。

关键词：单轴压力、单晶硅片、拉曼谱峰、残余应力

所属期刊栏目：36

分类号：O657.3(分析化学)

资助基金：Basic research project of Institute of Earthquake Science ，CEA 2012IES0404；project supported by National Natural Sci-ence Foundation of China 41104052，41373059，41373060，41174071；project supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities ZY20130202

在线出版日期：2016-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1261-1265