衬底温度对Al／Zn3 N2薄膜制备的影响

摘要：

运用等离子体发射光谱，分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响，随着温度升高，N2倡第一正系 B 3Πg → A 3Σ＋u ，N2倡第二正系C 3Πu → B 3Πg ，N＋倡2第一负系 B 2Σ＋u → X 2Σ＋g ， Zn倡以及Zn＋倡活性基团等离子体发射光谱特征谱线强度逐渐增强；由于衬底温度升高，腔室中各离子动能增加，使得碰撞电离加剧，导致N2倡，N＋倡2，Zn倡以及Zn＋倡活性基团的等离子体离子密度增加；等离子体发射光谱分析结果表明衬底温度在一定范围内升高有利于氮化锌薄膜生长。采用离子源辅助磁控溅射技术在Al薄膜上制备Zn3 N2薄膜；X射线衍射图谱（XRD ）分析结果表明：室温下，反应生长出单一择优取向面（321）氮化锌薄膜；随着温度的升高，在A l膜上反应生长的氮化锌薄膜择优取向面逐渐丰富，出现（222），（400），（600），（411），（332），（431）以及（622）择优取向面，体现出随着衬底温度的升高，薄膜的结晶度逐渐增加。XP‐1台阶仪分析的结果表明，随着衬底温度的升高，氮化锌薄膜的沉积率逐渐增大。场效应扫描电子显微镜（SEM ）图表明氮化锌薄膜晶粒尺寸随着衬底温度的升高逐渐变小，表面结构更加致密，晶粒排列更加有序；SEM断面扫描显示Al膜和氮化锌薄膜结合非常紧密。衬底温度影响薄膜性能实验分析结果与等离子体发射光谱分析的结果基本一致，体现出等离子体发射光谱了解等离子体内在特性的有效、快捷性。

关键词：磁控反应溅射、等离子体发射光谱、Al/Zn3 N2、双层薄膜

分类号：O539(等离子体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目61072028;广东省自然科学基金项目10151063101000048

在线出版日期：2015-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2287-2291