金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素

摘要：

制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率.使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体,分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件.实验和理论分析的结果较为符合.磷化铟在人工欧泊空隙中的填充率越高,二氧化硅球和空隙间的折射率差越大,人工欧泊光子晶体光学性能的变化就越显著;周期生长、低压、使用和InP失配小的衬底以及异质同构现象有助于InP在欧泊空隙中的填充.在优化的生长条件下制备了填充率较高的SiO2-InP光子晶体.研究结果为制备InP反欧泊结构积累了有益的经验.

关键词：光子晶体、人工欧泊、光子带隙、金属有机化学气相沉积、磷化铟

所属期刊栏目：28

分类号：O743.3(晶体化学)

资助基金：广东省自然科学基金重点项目05100534

在线出版日期：2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2763-2767